Новая конструкция эл.-абсорбционного модулятора на InGaAs-InGaAlAs квантово-размерной структуре для высокоскоростного полностью оптического преобразования длины волны
Оптимизирована структура эл.-абсорбционного модулятора на InGaAs-InGaAlAs квантово-размерной структуре для полностью оптической обработки сигнала. Так как преобразование длины волны является ключевой технологией для полностью оптических сетей связи, оптимизация проводилась под основные параметры этой функции: поляризационная нечувствительность, экситонное насыщение, время качание частоты генерированной несущей. Исследовано 4 образца с различными характеристиками. Подробно рассмотрен принцип полностью оптического преобразования длины волны, основанного на оптической модуляции эл.-абсорбционного модулятора.