Сухое травление и нанотехнология, перспективные для современных оптических устройств и компонент
Разрабатывается нанотехнология для реализации на полупроводниковых гетероструктурах различных вертикальных схем. Рассматриваются полупроводники с элементами III, IV, V групп (Al, Ga, In, Si, P, As), гл. обр., на базе InP, GaAs, GaAlAs. Методом электронно-лучевой литографии выполнялась маска, через которую далее проводилось реактивное ионно-лучевое травление. Исследовалось травление при использовании различных хлористых газов, давлениях газов в пределах 0,0005-0,002 Торр, разгоняющих напряжениях 300-800 В, подогрева подложек до 300°C. На подложках, гл. обр. из InP и GaAs, реализованы различные вертикальные структуры: гребенки, полосковые волноводы, брэгговские решетки и пр. По вертикали размеры элементов структур составляли нескольких микрон, по ширине миним. размеры доходили до 10-100 нм.