Сети и системы связи

Исследованы: характеристики ширины полосы излучения сверхлюминисцентных диодов и механизм распределения носителей в активном слое. Для получения большой ширины полосы предложено использовать асимметричную структуру активного слоя. Используя InP подложку с 5-ю 60 A InGaAsP квантовыми ямами и 2-мя 150 A InGaAs квантовыми ямами, получен сверхширокий спектр излучения. Спектральная ширина вблизи 400 нм почти покрывает диапазон от 1250 до 1650 нм. Такие диоды м. б. использованы в качестве источников излучения для волоконно-оптических систем связи с плотным спектральным мультиплексированием.