Трехмерное моделирование и анализ AlGaN/GaN УФ светоизлучающих диодов
В наст. время привлекают внимание компактные источники оптического излучения УФ диапазона, которые м. б. использованы при создании твердотельных источников оптического излучения и в оптических системах связи на короткие расстояния. Представлена конструкция светоизлучающего диода на основе нитрида, который включает AlGaN квантовые ямы, с длиной волны излучения ЭКВИВ340 нм. Проведено трехмерное моделирование устройства, результаты которого хорошо согласуются с эксперим. данными. Исследованы внутренние физ. механизмы, такие как сжатие тока, утечка носителей и их рекомбинация.